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专利类型：发明

学校署名：大连理工大学

专利说明：本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造领域，特别涉及聚酰亚胺衬底上的氮化镓基薄膜及其制备方法，具体是以聚酰亚胺为衬底，首先使用ECR-PEMOCVD方法在聚酰亚胺衬底上依次制备第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层，接着使用磁控溅射方法在第二氧化硅层上制备Ni层，然后使用ECR-PEMOCVD方法在Ni层与第二氧化硅层的界面上制备石墨烯层，再使用湿法腐蚀方法去除Ni层，最后使用ECR-PEMOCVD方法在石墨烯层上依次制备AlxGayIn1-x-yN缓冲层和外延层。所制备的AlxGayIn1-x-yN薄膜可用于

申请日期：2017-10-25

申请号：201710252532.8

授权日期：2019-02-21

授权号：CN201710252532.8

是否职务专利：是