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所属单位：大连理工大学

专利类型：发明

学校署名：大连理工大学

专利说明：本发明所公开的是一种采用金属基片制备垂直GaN 基LED芯片的设备，包括计算机信息采集控制器、包括反应室、金属基片装料室、气相金属有机物供应装置、氮气和/或氢气和/或氨气供应装置、ECR等离子体源供应装置、真空度计量器、反射高能电子衍射仪与荧光屏相对组成的成像显示器和计算机信息采集控制器，以其还包括磁场线圈支撑圆筒、光电报警器、法拉第筒、电子探针和直流偏压电源为主要特征，具有结构合理，、镀膜质量好、工效高，、所述芯片制备成本低等特点。

申请日期：2012-10-24

申请号：201210247144.8

授权日期：2014-12-17

授权号：CN201210247144.8

是否职务专利：是