秦福文
开通时间:..
最后更新时间:..
点击次数:
第一作者:王德君
发明设计人:秦福文,黄玲琴,李青洙
申请号:CN201610066721.1
授权日期:2016-01-29
授权号:CN105702712A
上一条:一种降低SiO<sub>2</sub>/SiC界面态密度的方法
下一条:采用金属基片制备垂直GaN基LED芯片的设备