秦福文
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专利名称:一种降低SiO<sub>2</sub>/SiC界面态密度的方法
第一作者:王德君
发明设计人:秦福文,李青洙
申请号:CN201510671058.3
授权日期:2015-10-15
授权号:CN105304498A
发布时间:2019-03-09
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