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论文类型：期刊论文

发表时间：2017-08-30

发表刊物：机电技术

期号：4

页面范围：76-79,85

ISSN号：1672-4801

关键字：PLZT薄膜;La掺杂;相对介电常数;铁电性能

摘要：采用溶胶凝胶法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备掺镧锆钛酸铅薄膜(Pb1-xLaxZr0.52Ti0.48O3薄膜,简称PLZT),掺杂La浓度分别为x=0％,1％,2％,3％,4％和5％.研究了La掺杂对锆钛酸铅(简称PZT)薄膜的晶向、微结构、介电和铁电性能的影响:X射线衍射(XRD)分析显示掺杂La使得薄膜的晶向取向趋于杂乱.扫描电子显微镜(SEM)分析显示当掺杂浓度小于等于3％时,薄膜的表面可以看到明显的晶界;随着掺杂浓度的增加,薄膜表面的晶界变得模糊.掺杂La 3％的PLZT薄膜的相对介电常数最大,100 Hz下达到1430.02,相比不掺杂PZT薄膜的相对介电常数提高了32.4％.掺杂La 1％的PLZT薄膜的铁电性能最优,相比不掺杂的PZT薄膜,+Pr从17.3μC/cm2增加到17.72μC/cm2,-Pr从14.43μC/cm2增加到16.98μC/cm2.