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Indexed by:会议论文
Date of Publication:2011-08-08
Page Number:186-186
Key Words:放电模式;等离子体源;放电过程;等离子体参数;材料加工;等离子体放电;半导体制造;均匀性;电子密度;和容;
Abstract:射频感性耦合等离子体源(ICP)具有低气压、高密度、均匀性好、装置简单以及性价比高等特点,在半导体制造和材料加工领域中得到广泛的应用。由于其自身的放电激发机理,ICP源存在两种放电模式即:感性模式(H)和容性模式(E)。在射频感应放电过程中,等离子体参数会随着射频功率输入的增加而在阈值点发生跳变,与此同时放电模式也会发生转换。实验证明放电模式从E模式到H模式跳变和从H模式跳变同E模式的过程中,所经过的曲线
