首页
科学研究
科研项目
著作成果
专利
论文成果
研究领域
教学研究
教学成果
授课信息
教学资源
获奖信息
其他奖励
学术荣誉
科研奖励
招生信息
学生信息
我的相册
教师博客
扫描手机二维码
欢迎您的访问
您是第
位访客
开通时间:
.
.
最后更新时间:
.
.
大连理工大学
|
登录
|
English
|
手机版
同专业博导
同专业硕导
个人学术主页
梁红伟
( 教授 )
赞
的个人主页 http://faculty.dlut.edu.cn/kid/zh_CN/index.htm
教授 博士生导师 硕士生导师
主要任职:
集成电路学院院长
性别:
男
毕业院校:
长春光机与物理研究所
学位:
博士
所在单位:
集成电路学院
学科:
微电子学与固体电子学. 凝聚态物理
办公地点:
信息楼207B室
电子邮箱:
hwliang@dlut.edu.cn
论文成果
当前位置:
中文主页
>>
科学研究
>>
论文成果
[151]程轶, 梁红伟, 柳阳, 刘远达, 边继明, 骆英民, 胡礼中, 杜国同, 张贺秋.基于低温生长n-ZnO电子注入层的InGaN黄绿光发光二极管的制备与研究[A],2010,458-460
[152]Li, Chunye, Du, G. T., Liang, Hongwei, Zhao, Jianze, Feng, Qiuju, Bian, Jiming, Liu, Yang, Shen, Rensheng, Wangcheng, Wu, Guoguang, HW (reprint author), Dalian Univ Technol, Sch Phys & Optoelect Technol, Dalian 116024, Peoples R China..Influence of high-pressure hydrogen treatment on structural and electrical properties of ZnO th...[J],APPLIED SURFACE SCIENCE,2010,256(22):6770-6774
[153]杜国同, 董鑫, 张宝林, 夏小川, 梁红伟, 赵涧泽, 刘远达, 程轶, 边继明, 赵旺, 孙景昌, 马艳, 张源涛.ZnO材料的p型掺杂及p-n结电注入发光研究[A],2010,45
[154]李庆伟, 边继明, 王经纬, 孙景昌, 梁红伟, 骆英民, 杜国同, Bian, J.-M.(jmbian@dlut.edu.cn).水热法制备Co掺杂ZnO纳米棒及其光学性能[J],发光学报,2010,31(2):253-257
[155]杜国同, 朱慧超, 马艳, 董鑫, 张宝林, 梁红伟, 赵涧泽, 孙景昌, 李硕石, 李长鸣, 陈睿姝, 夏小川, 赵旺, 李香萍.MOCVD生长ZnO基p-n结的电注入发光研究[A],2010,127
[156]李春野, 梁红伟, 李硕石, 李长鸣, 柳阳, 杜国同, 赵涧泽, 陈睿姝.氢气对ZnO薄膜的结构及光电特性的影响[A],2010,1
[157]杜国同, 赵涧泽, 梁红伟, 边继明, 付艳萍, 夏小川, 赵旺, 李香萍, 张源涛, 董鑫, 杨天鹏, 朱慧超, 张宝林, 孙景昌.ZnO基p-n结的电注入发光研究[A],2009,9-10
[158]Tang, W., Sun, J., Du, G., Yang, X., Wang, C., Zhao, Gao, Liu, B., Liang, H..ZnO films growth at different temperature on the substrate of Corning glass by MOCVD[A],2009,428-429:447-+
[159]Wang, C., Sun, J., Du, G., Yang, X., Liu, B., Zhao, Tang, W., Gao, Liang, H..Growth of ZnO films under different oxygen partial pressures by metal organic chemical vapour d...[A],2009,428-429:458-+
[160]Zhao Zi-Wen, Fu Qiang, Hu Li-Zhong, Zhang He-Qiu, Sun Jing-Chang, Bian Ji-Ming, Liang Hong-Wei, Huo Bing-Zhi, Yu Dong-Qi, Chen Xi, Zhao, ZW (reprint author), Dalian Univ Technol, Sch Phys & Optoelect Technol, Dalian 116024, Peoples R China..Effect of Different Substrate Temperature on Phosphorus-Doped ZnO Thin Films Prepared by PLD on...[J],CHINESE PHYSICS LETTERS,2009,26(5)
[161]Sun Jing-Chang, Du Guo-Tong, Zhao Zi-Wen, Wang Jing-Wei, Feng Qiu-Ju, Bian Ji-Ming, Zhao Jian-Ze, Liang Hong-Wei, Sun, JC (reprint author), Dalian Univ Technol, Sch Phys & Optoelect Technol, Dalian 116024, Peoples R China..Realization of Ultraviolet Electroluminescence from ZnO Homojunction Fabricated on Silicon Subs...[J],CHINESE PHYSICS LETTERS,2008,25(12):4345-4347
[162]Yang, T. P., Du, G. T., Zhu, H. C., Bian, J. M., Sun, J. C., Dong, X., Zhang, B. L., Liang, H. W., Li, X. P., Cui, Y. G., JM (reprint author), Jilin Univ, Coll Elect Sci & Engn, State Key Lab Integrated Optoelect, Qianjin St 2699, Changchun 130012, Peoples R China..Room temperature electroluminescence from the n-ZnO/p-GaN heterojunction device grown by MOCVD[J],MATERIALS RESEARCH BULLETIN,2008,43(12):3614-3620
[163]杜国同, 付艳萍, 马艳, 李香萍, 夏小川, 赵旺, 张源涛, 董鑫, 赵涧泽, 梁红伟, 边继明, 张宝林, 孙景昌.ZnO基p-n结的制备及其电注入发光研究[A],2008,387-390
[164]赵涧泽, 孙景昌, 梁红伟, 冯秋菊, 边继明, 胡礼中, 张贺秋, 赵子文, 杜同国.脉冲激光沉积法在p型GaAs衬底上制备ZnO同质结发光二极管[A],2008,408-411
[165]Zhao, J. Z., Luo, Y. M., Liang, X. P., Zhang, H. Q., Hu, L. Z., Feng, Q. J., Bian, J. M., Sun, J. C., H. W., Du, G. T., HW (reprint author), Dalian Univ Technol, State Key Lab Mat Modificat Laser Ion Electron Be, Dalian 116024, Peoples R China..Electroluminescence from n-ZnO/p-ZnO : Sb homojunction light emitting diode on sapphire substra...[J],JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,2008,41(19)
共194条 11/13
首页
上页
下页
尾页
页
辽ICP备05001357号 地址:中国·辽宁省大连市甘井子区凌工路2号 邮编:116024
版权所有:大连理工大学