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[51]李伯海, 秦福文, 吴爱民, 王艳艳, 徐茵, 顾彪.多晶硅沉积工艺中中间层对多晶硅质量的影响[J],半导体光电,2007,28(5):685-689
[52]顾彪, 徐茵, 孙凯, 秦福文.（001）GaAs衬底上异质外延的立方GaN薄膜与界面[J],半导体学报,1998,19(4):241
[53]郎佳红, 秦福文, 顾彪, 章家岩.外延GaN基薄膜表面应变演变RHEED分析[J],微纳电子技术,2009,46(8):467-472
[54]牟宗信, 李国卿, 秦福文, 黄开玉, 车德良, Mu, ZX (reprint author), Dalian Univ Technol, State Key Lab Mat Modificat Laser Iron & Electron, Dalian 116024, Peoples R China..非平衡磁控溅射系统离子束流磁镜效应模型[J],物理学报,2005,54(3):1378-1384
[55]章家岩, 郎佳红, 秦福文, 顾彪.等离子体清洗GaAs和Al2O3衬底的RHEED图像分析[J],华中科技大学学报（自然科学版）,2005,33(5):88-91
[56]王艳艳, 王叶安, 吴爱民, 马世猛, 秦福文.α-Al2O3上生长GaN过程中氮化的研究[J],红外与激光工程,2007,36(5):721-724
[57]何欢, 秦福文, 吴爱民, 王叶安, 代由勇, 姜辛, 徐茵, 顾彪, He, H..ECR-PEMOCVD技术生长的GaMnN薄膜的特性[J],半导体学报,2007,28(7):1053-1057
[58]秦福文, 顾彪, 徐茵, 杨大智.GaN缓冲层上低温生长AlN单晶薄膜[J],半导体光电,2003,24(1):32-36
[59]郎佳红, 顾彪, 徐茵, 秦福文.GaN基半导体材料研究进展[J],激光与光电子学进展,2003,40(3):45-49
[60]王三胜, 杨大智, 窦宝锋, 秦福文, 徐茵, 顾彪.GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用[J],材料导报,2002,16(1):31-35

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